Anlässlich der Computex in Taiwan (31.05.2021 bis 30.06.2021) kündigt Micron neue SSDs und neue DRAM-Module an. In den SSDs verbaut Micron NAND-Chips mit 176 Layern und führt damit aktuell die Branche beim Hochstapeln an. In den DRAMs wird industrieweit erstmals der Fertigungsprozess 1-alpha benutzt. Micron hatte zum Jahresanfang 2021 angekündigt, den Prozess jetzt soweit zu beherrschen, dass große Stückzahlen produziert werden können.

Sanjay Mehrotra (CEO Micron) führt die stark zunehmende Datenmente durch künstliche Intelligenz und die im Mainstream angekommene 5G-Technologie als Motivation für Micron an, immer weiter an innovativen Produkten zu arbeiten.

Neue SSDs mit 176-Layer NAND

Die bestehende NAND-SSD-Familie erweitert Micron um die beiden Modelle 3400 und 2450. Beide Modelle basieren auf den neuen 176-Layer TLC 3D NANDs, eine Eigenentwicklung von Micron. Die Micron 3400 ist konzipiert für datenintensive Workloads und hochperformante Anwendungen. Das Modul kommt als M.2 (PCIe Gen4 bzw. NVMe 1.4), wahlweise mit 512 GB, 1 TB oder 2 TB Kapazität. Micron verspricht etwa doppelten Durchsatz beim Lesen und bis zu 85% schnelleres Schreiben, als die Vorgängermodelle.

Micron 176-Layer PCIe Gen4 SSDs Spezifikation
Micron 176-Layer PCIe Gen4 SSDs Spezifikation

Für den Alltagsbetrieb bringt Micron die 2450 SSD. Wie der “große Bruder” kommen auch diese Module mit PCIe Gen 4 bzw. NVMe 1.4 daher. Die 2450 gibt es mit 256 GB, 512 GB oder 1 TB Gesamtkapazität. Auch die 2450 kommt ausschließlich im M.2 Formfaktor. Weil die 2450 u. a. auch für mobile Anwendungen gedacht ist, verbesserte Micron hier zudem die Leistungsaufnahme, was die Akkulaufzeit von Mobilgeräten spürbar verlängert.

LPDDR4x und DDR4 auf 1-Alpha-Node

Es war eine lange Zeit üblich, die Strukturbreite der kleinsten Struktur auf einem Stück Halbleiter als Maßgabe für die Feinheit des Fertigungsprozesses zu nehmen. Vor zwanzig Jahren war man bei 130nm, vor zehn Jahren bei 22nm. Im Laufe der letzten zehn Jahre kam man insbesondere bei der Herstellung von DRAM-Chips von diesen klaren, nachvollziehbaren Größenangaben ab. Geschuldet ist das zunehmend komplexen Herstellungsverfahren und der Tatsache, dass man die minimale Strukturbreite eines Mikrochips aufgrund der Verfahren nicht mehr so klar abgrenzen kann. Man führte führte also zunächst 1x ein, gefolgt von 1y und 1z. Die nächste Verkleinerung im Prozess heißt jetzt 1α bzw. 1-Alpha. Micron hatte im Januar 2021 angekündigt, in diesem Prozess demnächst große Stückzahlen fertigen zu können. Nach 1α folgt konsequenterweise 1β (erste Teststrecken im Labor) und 1γ (in Planung).

Micron 1-Alpha LPDDR4x und DDR4 Ankündigung
Micron 1α LPDDR4x und DDR4 Ankündigung

Auf den neuen LPDDR4x- und DDR4-Modules sind nun erstmals Chips aus dem Fertigungsprozess 1α verbaut. Kleiner Strukturbreiten gehen zumeist einher mit mehr Kapazität auf gleicher Fläche und häufig auch mit weniger Stromverbrauch. So auch hier: Der 1α-Prozess bietet 40% höhere Speicherdichte, sowie bis zu 20% weniger Stromaufnahme im Vergleich zum bisherigen 1z-Verfahren.

Die DDR4-Module sind ab sofort erhältlich, die LPDDR4x-Module folgen im Laufe des Juni 2021, so Micron. An Speichermodulen mit
DDR5-Anbindung wird bei Micron aktiv gearbeitet.

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